تولید نسل نهم تراشه V-NAND سامسونگ را در مقیاس بزرگ آغاز شد: قدرت و سرعت پیچیده

تولید نسل نهم تراشه V-NAND سامسونگ را در مقیاس بزرگ آغاز شد: قدرت و سرعت پیچیده!

Samsung Electronics، یکی از شرکت های پیشرو جهان در فناوری حافظه های پیشرفته است که با تسلط خود در حوزه NAND جایگاه ویژه‌ای در روند تولید سخت افزار ها دارد. طبق اظهارات جدید این شرکت فرآیند عرضه سلول های سه سطحی یک ترابیت (Tb) با تولید نسل نهم تراشه V-NAND سامسونگ کاملا آغاز شده است.

اظهارات منتشر شده بدین شکل بود: ما بسیار هیجان زده هستیم که نسل نهم تراشه V-NAND را به صنعت ارائه می دهیم، که به طور قابل توجهی برنامه های کاربردی آینده را پیشرفت خواهد کرد. سامسونگ از نظر معماری سلولی و طرح عملیاتی محصول نسل بعدی خود را به منظور پاسخگویی به نیازهای در حال تغییر تحت فشار قرار داده است. سامسونگ برای تنظیم استانداردهای بازار درایو حالت جامد (SSD) با کارایی بالا ادامه می‌دهد.

جزئیات مهم تولید نسل نهم تراشه V-NAND سامسونگ

همچنین، سامسونگ تراکم بیت نسل نهم V-NAND را نسبت به نسل هشتم این تراشه را با استفاده از باریک ترین قالب و کوچکترین اندازه سلول در صنعت، حدود ۵۰ درصد افزایش داد. کیفیت محصول با استفاده از فناوری‌های جدید مانند جلوگیری از تداخل سلولی و افزایش عمر سلولی بهبود یافته است، در حالی که سطح مسطح سلول‌های حافظه با حذف سوراخ‌های کانال ساختگی تا حد زیادی ساختار کاهشی دارد.

علاوه براین، فناوری های پیشرفته جدید حکاکی سوراخ کانال در روند تولید نسل نهم تراشه V-NAND سامسونگ استفاده شده است که سختار سازگارتری دارد. این روش با انباشته کردن لایه‌های قالب، مسیرهای الکترونی تولید می‌کند و بهره‌وری ساخت را افزایش می‌دهد، زیرا اجازه می‌دهد بیشترین تعداد لایه سلولی صنعت به طور همزمان در یک ساختار دو پشته استفاده شود. ظرفیت نفوذ از طریق سلول های بیشتر با افزایش تعداد لایه های سلولی بسیار مهم می شود و استفاده از تکنیک های پیشرفته اچینگ را ضروری می کند.

البته، در نسل بعدی رابط فلش NAND، که معروف به Toggle 5.1 است کاملا بر روی نسل نهم V-NAND نصب می شوند. این رابط سرعت ورودی و خروجی داده را ۳۳ درصد سریع‌تر می‌کند و به ۳.۲ گیگابیت در ثانیه می‌رسد. این شرکت قصد دارد علاوه بر این رابط جدید، پشتیبانی از PCIe 5.0 را افزایش دهد تا جایگاه خود را در بازار حافظه های SSD با عملکرد بالا تقویت کند.

بهبود در طراحی کم مصرف همچنین منجر به کاهش ۱۰ درصدی مصرف برق در مقایسه با نسل های قبلی شده است. پیش‌بینی می‌شود که تولید نسل نهم تراشه V-NAND سامسونگ بهترین گزینه برای برنامه‌های آینده پردازنده های محصولات باشد زیرا مصرف‌کنندگان بیشتر نگران کاهش مصرف انرژی و انتشار کربن هستند.