فناوری HBM4 سامسونگ از طریق نوآوری پیوند هیبریدی، استانداردها را ارتقا می‌دهد و آنها به تازگی برنامه‌های هیجان انگیز خود را در انجمن نیمه هادی هوش مصنوعی در سئول به اشتراک گذاشته‌اند. این رویکرد جدید می‌تواند دنیای معماری‌های حافظه پیشرفته، به ویژه برای هوش مصنوعی و وظایف محاسباتی سنگین را متحول کند.
برخلاف روش‌های سنتی که برای اتصال لایه‌های DRAM به ریز برجستگی‌ها و پر کننده‌ها متکی هستند، پیوند هیبریدی سطوح مس به مس و اکسید به اکسید را مستقیما به هم متصل می‌کند که به طور قابل توجهی مقاومت حرارتی را کاهش می‌دهد و امکان رابط‌های بسیار گسترده‌تر و سریع‌تر را فراهم می‌کند.
مزیت‌های فنی در برابر موانع عملیاتی
وقتی صحبت از HBM می‌شود، لایه‌های DRAM روی یک تراشه منطقی پایه انباشته می‌شوند و داده‌ها از طریق viaهای سیلیکونی (TSV) به سرعت از آنها عبور می‌کنند. با این حال، با افزایش ارتفاع پشته و نرخ داده، با چالش‌های جدی در انتقال حرارت و یکپارچگی سیگنال مواجه می‌شویم. با کاهش گام اتصال به زیر ۱۰ میکرومتر، پیوند هیبریدی نه تنها مقاومت و ظرفیت را کاهش می‌دهد، بلکه امکان ایجاد سیستم‌هایی را فراهم می‌کند که در حین کار با سرعت‌های بالاتر، انرژی کمتری مصرف می‌کنند.
از طرف دیگر، SK hynix مسیر متفاوتی را در پیش گرفته است. آنها در حال کار بر روی فرآیند قالب‌گیری شده با جریان زیرین (MR-MUF) برای تولید پشته‌های HBM4 با ارتفاع ۱۶-Hi هستند که می‌توانند به ارتفاع ۷۷۵ میکرومتر برسند، در عین حال که به استاندارد JEDEC پایبند هستند و از سرمایه گذاری‌های سنگین در تجهیزات تخصصی اجتناب می‌کنند.
اگر چه این رویکرد ممکن است مقرون به صرفه‌تر باشد، اما فناوری پیوند هیبریدی سامسونگ در نهایت می‌تواند به دلیل مزایای فنی خود، کفه ترازو را به نفع آنها سنگین‌تر کند.
چالش‌های تجاری و رقابت استراتژیک
با این حال، موانعی وجود دارد که باید بر آنها غلبه کرد. اجرای موفقیت آمیز پیوند هیبریدی نیاز به تجهیزات لیتوگرافی و ترازبندی با دقت بالا دارد که نه تنها گران است، بلکه به فضای بیشتری در اتاق‌های تمیز نیز نیاز دارد. سامسونگ برای مقابله با این چالش‌ها روی بازوی تولید تجهیزات خود، Semes، حساب می‌کند، اما باید دید که آیا می‌توانند تا سال ۲۰۲۶ به تولید انبوه برسند یا خیر.
اگر سامسونگ بتواند در این بازه زمانی با موفقیت فناوری خود را در تولید پایدار ادغام کند و عملکرد صنعتی را افزایش دهد، می‌تواند چالش قابل توجهی را برای رقبایی مانند میکرون و SK hynix در رقابت برای حافظه HBM نسل بعدی ایجاد کند. این فقط یک پیشرفت فنی نیست؛ بلکه یک حرکت استراتژیک است که می‌تواند چشم انداز رقابتی را در بازار نیمه هادی‌های پیشرفته تغییر شکل دهد.
__ تکنو دات مرجع اخبار تکنولوژی __
