تراشه جدید TSMC با فناوری ۱.۶ نانومتری و امکاناتی منحصر بفرد بزودی عرضه خواهد شد
شرکت TSMC از یک فرایند تولید تراشه جدیدی با فناوری ۱.۶ نانومتری رونمایی کرد که شامل شبکه انتقال نیروی پشت تراشه نیز هست. این شبکه جدید باعث افزایش تراکم ترانزیستور و بازدهی مصرف انرژی و قدرت بیشتر میشه.
فرایند ۱.۶ نانومتری اعلام شده مشابه معماری های N2، N2P و N2X مبتنی بر گره ۲ نانومتری، از ترانزیستورهای نانوس heets گیت-همه جانبه استفاده می کنه. این فرایند به تنهایی امکان دستیابی به سرعت کلاک ۱۰ درصد بالاتر در همان ولتاژ و همچنین کاهش مصرف انرژی تا ۲۰ درصد در فرکانس و پیچیدگی مشابه را فراهم میکنه. بسته به طراحی تراشه، فرایند ۱.۶ نانومتری جدید می تونه تا ۱۰ درصد ترانزیستور بیشتر را نیز داخل خودش جا بده.
شبکه انتقال نیروی پشت تراشه، شاید حتی جنبهای تاثیرگذارتر از این تراشههای آینده باشه، چرا که این شبکه منجر به افزایش تراکم ترانزیستور و بهبود انتقال نیرو شده و در نهایت بر عملکرد آنها تاثیر میگذاره. TSMC اعلام کرده که شبکه انتقال نیروی پشت تراشه همراه با سوپر ریل برق (SPR) که نوعی کانکتور اتصال تراشه به منبع تغذیه است، به ویژه برای پردازندههای هوش مصنوعی (AI) و رایانش با عملکرد بالا (HPC) که نیازمند سیم کشی سیگنال پیچیده و شبکههای برق متراکم هستند، مفید خواهد بود.
در صورت پیشرفت طبق برنامه، خط تولید این فناوری برای نیمه دوم سال ۲۰۲۶ برنامه ریزی شده و انتظار میره اولین محصولات آماده مصرف با این فناوری در سال ۲۰۲۷ عرضه بشه..
حتما در بخش نظرات، انتقادات و پیشنهادات خودتون رو با ما به اشتراک بگذارید.