بازطراحی فرآیند تولید DRAM 1c سامسونگ؛ به منظور بهبود نرخ بازدهی!

این غول فناوری کره‌ای اکنون در حال بررسی بازطراحی فرآیند تولید DRAM 1c سامسونگ خود است که گفته می‌شود عامل کلیدی در موفقیت فرآیند HBM4 آن به شمار می‌رود. بر اساس گزارشی که توسط ZDNet کره منتشر شده، سامسونگ از نیمه دوم سال ۲۰۲۴ در حال ارزیابی طرح‌های فرآیندهای DRAM پیشرفته خود بوده و اکنون این تکنولوژی رده بالای ۱c خود را مجددا طراحی کرد است.

دلیل اصلی آن اطمینان از فرآیندهای HBM آینده‌ است، برخلاف مشتقات HBM3 از ادغام‌های انبوه NDIA در جاده‌های انبوهی که شاهد ادغام انبوهی از جاده‌ها بودند، از عملکرد مطلوبی برخوردار باشند.

جزئیات پیشرفت بازطراحی فرآیند تولید DRAM 1c سامسونگ

این گزارش بیان می‌کند که فرآیند پیشرفته DRAM سامسونگ به نرخ بازده هدف‌گذاری شده که گفته می‌شود حدود ۶۰ تا ۷۰ درصد است، دست نیافته است. به همین دلیل، این غول فناوری کره‌ای نتوانسته به مراحل تولید انبوه آن وارد شود. ادعا می‌شود که مشکل بزرگ در اندازه تراشه DRAM 1c نهفته است و سامسونگ در ابتدا روی کاهش اندازه برای دستیابی به حجم تولید بالاتر متمرکز بود، اما این امر باعث شد که این شرکت در ثبات فرآیند به خطر بیفتد که منجر به نرخ بازده پایین‌تر شد.

بخش Samsung Electronics بازطراحی فرآیند تولید DRAM 1c سامسونگ خود را تغییر داده تا اندازه تراشه آن را افزایش دهد و بر بهبود بازده تمرکز کند و اواسط سال جاری را هدف قرار داده است. به نظر می‌رسد که آنها بر تولید انبوه پایدار حافظه نسل بعدی متمرکز شده‌اند، حتی اگر هزینه بیشتری داشته باشد.

بازطراحی فرآیند تولید DRAM 1c سامسونگ نقش مهمی در نحوه عملکرد فرآیند HBM4 این شرکت ایفا می‌کند. از آنجایی که رقبایی مانند SK Hynix و Micron طراحی‌های خود را اصلاح کرده‌اند، زمان برای غول فناوری کره‌ای رو به اتمام است. با توجه به شهرت نه چندان خوب غول فناوری کره‌ای در صنعت، به ویژه پس از شکست HBM3، برای سامسونگ مهم است که اطمینان حاصل کند که فرآیند DRAM 1c مطابق با استانداردهای صنعت انجام می‌شود.

در حال حاضر، در مورد چگونگی روند نسل ششم DRAM سامسونگ ابهام وجود دارد، اما ادعا می‌شود که می‌توانیم در ماه‌های آینده شاهد پیشرفتی باشیم که به طور بالقوه می‌تواند فرآیند تولید DRAM 1c سامسونگ را در مسیر تولید انبوه قرار دهد، که تا پایان سال پیش‌بینی می‌شود.

به عبارت دیگر، شرکت در تلاش است تا با بازطراحی فرآیند تولید DRAM 1c سامسونگ، مشکلات مربوط به نرخ بازده پایین را برطرف کند و اطمینان حاصل کند که HBM4 با عملکرد مطلوب و پایدار به تولید انبوه برسد. این امر با توجه به رقابت فشرده در بازار حافظه‌های پیشرفته و لزوم جبران شکست HBM3 از اهمیت بسزایی برای این شرکت برخوردار است.

__ تکنو دات مرجع اخبار تکنولوژی __