برنامه‌ریزی سامسونگ در زمینه حافظه DRAM سه‌بعدی (۳D)

برنامه‌ریزی سامسونگ در زمینه حافظه DRAM سه‌بعدی (۳D)


سامسونگ برنامه‌ریزی کرده است تا در زمینه حافظه DRAM سه‌بعدی (۳D) رقابت را پس از سال ۲۰۲۵ با طراحی‌های جدیدی برای افزایش ظرفیت و کوچک‌تر شدن دستگاه‌ها رهبری کند. این اعلامیه که در کنفرانس Memcon 2024 انجام شده است، نشان‌دهنده حرکت استراتژیک شرکت به منظور پاسخ به محدودیت‌های طراحی‌های حافظه‌های سنتی است، زیرا صنعت به سمت اندازه‌های تراشه‌های حتی کوچک‌تر حرکت می‌کند

سامسونگ برنامه‌ریزی کرده است تا در زمینه حافظه DRAM سه‌بعدی (3D)

برنامه‌ریزی سامسونگ در زمینه حافظه DRAM سه‌بعدی (۳D)

سامسونگ در Memcon 2024 دو تکنولوژی کلیدی برای حافظه DRAM سه‌بعدی به نمایش گذاشته است:

  1. ترانزیستورهای کانال عمودی (Vertical Channel Transistors): این تکنولوژی نمایانگر یک تغییر اساسی در طراحی ترانزیستور است. با تغییر جریان جریان جریان از افقی به عمودی، سامسونگ هدف دارد که ابعاد ترانزیستور را به طور قابل توجهی کاهش دهد. با این حال، این رویکرد نیز نیاز به دقت بسیار بالاتر در فرآیند حکاکی دارد.
  2. حافظه سه‌بعدی تراکم‌شده (Stacked DRAM): در مقابل، این تکنولوژی بر روی بهره‌برداری از فضا تمرکز دارد. برخلاف حافظه ۲D سنتی که فقط از صفحه افقی استفاده می‌کند، حافظه سه‌بعدی تراکم‌شده از بعد عمودی (محور Z) برای تراکم لایه‌های چندگانه سلول‌های حافظه در یک تراشه‌ی تکی استفاده می‌کند. این رویکرد نوآورانه قابلیت افزایش ظرفیت تراشه‌ی تکی را به بیش از ۱۰۰ گیگابایت افزایش می‌دهد، که در مقایسه با محدودیت‌های فعلی، پیشرفت قابل توجهی است.

این توسعه‌ها در فناوری حافظه DRAM سه‌بعدی بخشی از نقشه‌راه بلندمدت سامسونگ برای افزایش قابلیت‌های حافظه در برنامه‌های مختلف، از جمله مراکز داده، الکترونیک مصرفی و فناوری‌های نوظهور مانند هوش مصنوعی و شبکه‌های ۵G است.

__ تکنودات مرجع اخبار تکنولوژی __

نظرتون در مورد این مطلب چیه

آدرس ایمیل شما بصورت عمومی منتشر نخواهد شد.

لطفا از ارسال نظرات بی ربط با این مطلب خودداری نمایید.